Справочник MOSFET. AOK22N50

 

AOK22N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK22N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для AOK22N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK22N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  aosemi
 aok22n50.pdf pdf_icon

AOK22N50

AOK22N50500V,22A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOK22N50 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 22Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:313K  inchange semiconductor
 aok22n50.pdf pdf_icon

AOK22N50

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor AOK22N50FEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:436K  aosemi
 aok22n50l.pdf pdf_icon

AOK22N50

AOK22N50500V,22A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOK22N50 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 22Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:231K  inchange semiconductor
 aok22n50l.pdf pdf_icon

AOK22N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK22N50LDESCRIPTIONDrain Current I =22A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor controls,relay and sol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AON6324

 

 
Back to Top

 


 
.