AON2420 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AON2420. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON2420

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2B

Аналог (замена) для AON2420

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AON2420 даташит

..1. Size:285K aosemi
aon2420.pdf pdf_icon

AON2420 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

9.1. Size:240K aosemi
aon2401.pdf pdf_icon

AON2401 8V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON2401 combines advanced trench MOSFET -8V technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-2.5V) -8A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =-2.5V)

9.2. Size:260K aosemi
aon2407.pdf pdf_icon

AON2407 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON2407 combines advanced trench MOSFET -30V technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -6.3A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =-10V)

9.3. Size:247K aosemi
aon2406.pdf pdf_icon

AON2406 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AON2406 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 8A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=4.5V)