Справочник MOSFET. AON2800

 

AON2800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON2800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для AON2800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON2800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  aosemi
 aon2800.pdf pdf_icon

AON2800

AON280020V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AON2800 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 4.5Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:171K  aosemi
 aon2801.pdf pdf_icon

AON2800

AON2801Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AON2801/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = -3A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. ThisRDS(ON)

 8.2. Size:230K  aosemi
 aon2809.pdf pdf_icon

AON2800

AON280912V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2809 combines advanced trench MOSFET -12Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-4.5V) -2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.3. Size:236K  aosemi
 aon2803.pdf pdf_icon

AON2800

AON280320V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20VThe AON2803 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-4.5V) -3.8Awith gate voltage as low as 1.8V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOK27S60

 

 
Back to Top

 


 
.