Справочник MOSFET. AON6504

 

AON6504 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6504
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1204 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6504 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  aosemi
 aon6504.pdf pdf_icon

AON6504

AON650430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:204K  1
 aon6508.pdf pdf_icon

AON6504

AON650830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:204K  aosemi
 aon6508.pdf pdf_icon

AON6504

AON650830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:275K  aosemi
 aon6500.pdf pdf_icon

AON6504

AON650030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6452 , AON6454A , AON6458 , AON6482 , AON6484 , AON6486 , AON6500 , AON6502 , AO4407 , AON6506 , AON6508 , AON6510 , AON6512 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 .

History: STH7NA60FI | AP65SL380AI

 

 
Back to Top

 


 
.