AON6588 - описание и поиск аналогов

 

AON6588. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6588

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6588

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6588 даташит

 ..1. Size:291K  aosemi
aon6588.pdfpdf_icon

AON6588

AON6588 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
aon6586.pdfpdf_icon

AON6588

AON6586 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:282K  1
aon6512.pdfpdf_icon

AON6588

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:204K  1
aon6508.pdfpdf_icon

AON6588

AON6508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6544 , AON6552 , AON6554 , AON6558 , AON6566 , AON6572 , AON6576 , AON6586 , IRFZ24N , AON6594 , AON6596 , AON6752 , AON6754 , AON6756 , AON6758 , AON6760 , AON6774 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.