AON7242 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON7242
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
AON7242 Datasheet (PDF)
aon7242.pdf
AON724240V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON7242 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 50Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7244.pdf
AON724460V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AON7244 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 50Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7246.pdf
AON724660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AON7246 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 34.5Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7240.pdf
AON724040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON7240 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 40Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7244.pdf
AON724460V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AON7244 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 50Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7246e.pdf
AON7246ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPB08CN10NG
History: IPB08CN10NG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918