AON7508. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7508

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7508

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7508 даташит

 ..1. Size:547K  1
 aon7508.pdf pdf_icon

AON7508

AON7508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:315K  aosemi
 aon7508.pdf pdf_icon

AON7508

AON7508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:324K  1
 aon7506.pdf pdf_icon

AON7508

AON7506 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:273K  aosemi
 aon7502.pdf pdf_icon

AON7508

AON7502 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 6VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7452, AON7458, AON7460, AON7462, AON7466, AON7474A, AON7502, AON7506, 4N60, AON7510, AON7516, AON7520, AON7522E, AON7524, AON7528, AON7530, AON7532E