Справочник MOSFET. AON7510

 

AON7510 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7510
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AON7510

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7510 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  aosemi
 aon7510.pdf pdf_icon

AON7510

AON751030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:213K  aosemi
 aon7518.pdf pdf_icon

AON7510

AON751830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:269K  aosemi
 aon7516.pdf pdf_icon

AON7510

AON751630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:270K  aosemi
 aon7514.pdf pdf_icon

AON7510

AON751430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7458 , AON7460 , AON7462 , AON7466 , AON7474A , AON7502 , AON7506 , AON7508 , STF13NM60N , AON7516 , AON7520 , AON7522E , AON7524 , AON7528 , AON7530 , AON7532E , AON7534 .

History: FDU6680 | CSD17301Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.