Справочник MOSFET. AON7522E

 

AON7522E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7522E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AON7522E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7522E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  aosemi
aon7522e.pdfpdf_icon

AON7522E

AON7522E30V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:263K  1
aon7524.pdfpdf_icon

AON7522E

AON752430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:263K  aosemi
aon7524.pdfpdf_icon

AON7522E

AON752430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:320K  aosemi
aon7528.pdfpdf_icon

AON7522E

AON752830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON7466 , AON7474A , AON7502 , AON7506 , AON7508 , AON7510 , AON7516 , AON7520 , STP80NF70 , AON7524 , AON7528 , AON7530 , AON7532E , AON7534 , AON7536 , AON7538 , AON7544 .

 

 
Back to Top

 


 
.