AON7522E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7522E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7522E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7522E даташит

 ..1. Size:270K  aosemi
 aon7522e.pdf pdf_icon

AON7522E

AON7522E 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:263K  1
 aon7524.pdf pdf_icon

AON7522E

AON7524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:263K  aosemi
 aon7524.pdf pdf_icon

AON7522E

AON7524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:320K  aosemi
 aon7528.pdf pdf_icon

AON7522E

AON7528 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7466, AON7474A, AON7502, AON7506, AON7508, AON7510, AON7516, AON7520, 10N65, AON7524, AON7528, AON7530, AON7532E, AON7534, AON7536, AON7538, AON7544