Справочник MOSFET. AON7530

 

AON7530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  aosemi
 aon7530.pdf pdf_icon

AON7530

AON753030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:271K  1
 aon7534.pdf pdf_icon

AON7530

AON753430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:264K  aosemi
 aon7532e.pdf pdf_icon

AON7530

AON7532E30V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:261K  aosemi
 aon7536.pdf pdf_icon

AON7530

AON753630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7506 , AON7508 , AON7510 , AON7516 , AON7520 , AON7522E , AON7524 , AON7528 , IRFZ46N , AON7532E , AON7534 , AON7536 , AON7538 , AON7544 , AON7548 , AON7556 , AON7611 .

History: R6046ANZ1 | UPA1770 | IXTH10N60 | TSM4946DCS | RU1HL8L | KRF7703 | ME50N06A

 

 
Back to Top

 


 
.