Справочник MOSFET. AON7556

 

AON7556 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7556
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7556 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  aosemi
aon7556.pdfpdf_icon

AON7556

AON755630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:263K  1
aon7524.pdfpdf_icon

AON7556

AON752430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:271K  1
aon7534.pdfpdf_icon

AON7556

AON753430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:547K  1
aon7508.pdfpdf_icon

AON7556

AON750830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.