AON7556. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7556

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7556

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7556 даташит

 ..1. Size:266K  aosemi
 aon7556.pdf pdf_icon

AON7556

AON7556 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:263K  1
 aon7524.pdf pdf_icon

AON7556

AON7524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:271K  1
 aon7534.pdf pdf_icon

AON7556

AON7534 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:547K  1
 aon7508.pdf pdf_icon

AON7556

AON7508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7528, AON7530, AON7532E, AON7534, AON7536, AON7538, AON7544, AON7548, IRFZ24N, AON7611, AON7700, AON7702A, AON7702B, AON7752, AON7754, AON7758, AON7760