Справочник MOSFET. AON7932

 

AON7932 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7932
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NN
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23(25) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26(35) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3(5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160(111) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02(0.012) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3AEP2
 

 Аналог (замена) для AON7932

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  aosemi
 aon7932.pdf pdf_icon

AON7932

AON793230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2The AON7932 is designed to provide a high efficiencysynchronous buck power stage with optimal layout andVDS 30V 30Vboard space utilization. It includes two specialized ID (at VGS=10V) 26A 35AMOSFETs in a dual Power DFN3x3A package. The Q1 RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:546K  1
 aon7934.pdf pdf_icon

AON7932

AON793430V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:546K  aosemi
 aon7934.pdf pdf_icon

AON7932

AON793430V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:415K  aosemi
 aon7902.pdf pdf_icon

AON7932

AON790230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2The AON7902 is designed to provide a high efficiencysynchronous buck power stage with optimal layout andVDS 30V 30Vboard space utilization. It includes two specialized ID (at VGS=10V) 27A 40AMOSFETs in a dual Power DFN3.3x3.3A package. The Q1 RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7788 , AON7804 , AON7810 , AON7812 , AON7820 , AON7826 , AON7900 , AON7902 , MMD60R360PRH , AON7934 , AOP605 , AOP609 , AOT10N60 , AOT10N65 , AOT10T60P , AOT1100L , AOT11C60 .

History: ZXMN6A08GTA | SI3420A | 2SK1346 | 2SK1349 | 4N70G-T2Q-T | FQU5P20TU | BSP298

 

 
Back to Top

 


 
.