Справочник MOSFET. AOT1404L

 

AOT1404L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT1404L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1388 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT1404L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  aosemi
aot1404l.pdfpdf_icon

AOT1404L

AOT1404L/AOB1404L40V N-Channel Rugged Planar MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AOT1404L/AOB1404L uses a robust technology thatis designed to provide efficient and reliable power ID (at VGS=10V) 220Aconversion even in the most demanding applications, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
aot1404l.pdfpdf_icon

AOT1404L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1404LFEATURESDrain Current I = 220A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.9m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:258K  aosemi
aot14n50.pdfpdf_icon

AOT1404L

AOT14N50/AOB14N50/AOTF14N50500V, 14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT14N50 &AOB14N50 & AOTF14N50 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 14Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:232K  aosemi
aot14n50fd.pdfpdf_icon

AOT1404L

AOT14N50FD/AOTF14N50FD500V, 14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT14N50FD/AOTF14N50FD have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 14Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAT2267H | AP2306CGN-HF | SIHFP250 | ZVN4310GTC | STK12N05L | KRF7503 | SM6129NSU

 

 
Back to Top

 


 
.