AOT260L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT260L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT260L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT260L даташит

 ..1. Size:402K  aosemi
 aot260l aob260l.pdf pdf_icon

AOT260L

AOT260L/AOB260L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOT(B)260L uses Trench MOSFET technology that VDS 60V is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 140A frequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:276K  aosemi
 aot260l.pdf pdf_icon

AOT260L

AOT260L/AOB260L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOT(B)260L uses Trench MOSFET technology that VDS 60V is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 140A frequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
 aot260l.pdf pdf_icon

AOT260L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT260L FEATURES Drain Current I = 140A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and gene

 8.1. Size:420K  aosemi
 aot2606l aob2606l aotf2606l.pdf pdf_icon

AOT260L

AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 72A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT210L, AOT22N50, AOT240L, AOT2500L, AOT254L, AOT25S65, AOT2606L, AOT2608L, 2N7002, AOT2610L, AOT2618L, AOT262L, AOT264L, AOT266L, AOT270AL, AOT27S60, AOT280L