Справочник MOSFET. AOT2910L

 

AOT2910L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT2910L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT2910L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT2910L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
aob2910l aot2910l aotf2910l.pdfpdf_icon

AOT2910L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:434K  aosemi
aot2910l.pdfpdf_icon

AOT2910L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
aot2910l.pdfpdf_icon

AOT2910L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2910LFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgene

 8.1. Size:409K  aosemi
aot2916l.pdfpdf_icon

AOT2910L

AOT2916L/AOTF2916L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2916L & AOTF2916L uses trench MOSFET 100Vtechnology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 23A / 17Aefficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOT270AL , AOT27S60 , AOT280L , AOT282L , AOT284L , AOT286L , AOT288L , AOT290L , 4435 , AOT2916L , AOT2918L , AOT292L , AOT296L , AOT298L , AOT29S50 , AOT2N60 , AOT3N100 .

History: PMV27UPE | DHS022N06E

 

 
Back to Top

 


 
.