AOT29S50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT29S50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT29S50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT29S50 даташит

 ..1. Size:324K  aosemi
 aot29s50.pdf pdf_icon

AOT29S50

AOT29S50/AOB29S50/AOTF29S50 TM 500V 29A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 600V The AOT29S50 & AOB29S50 & AOTF29S50 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 120A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.15 performance and robustness in switching applications. Qg,typ 26.6nC By provi

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot29s50.pdf pdf_icon

AOT29S50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT29S50 FEATURES Drain Current I = 29A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 0.1. Size:441K  1
 aot29s50l aob29s50l aotf29s50l aotf29s50.pdf pdf_icon

AOT29S50

AOT29S50L/AOB29S50L/AOTF29S50L/AOTF29S50 TM 500V 29A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 600V The AOT29S50L & AOB29S50L & AOTF29S50L & AOTF29S50 have been fabricated using the advanced IDM 120A MOSTM high voltage process that is designed to deliver high RDS(ON),max 0.15 levels of performance and robustness in switching Qg,typ 26.6nC appl

 0.2. Size:992K  aosemi
 aot29s50l aob29s50l aotf29s50l aotf29s50.pdf pdf_icon

AOT29S50

AOT29S50L/AOB29S50L/AOTF29S50L/AOTF29S50 TM 500V 29A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 600V The AOT29S50L & AOB29S50L & AOTF29S50L & AOTF29S50 have been fabricated using the advanced IDM 120A MOSTM high voltage process that is designed to deliver high RDS(ON),max 0.15 levels of performance and robustness in switching Qg,typ 26.6nC appl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT288L, AOT290L, AOT2910L, AOT2916L, AOT2918L, AOT292L, AOT296L, AOT298L, NCEP15T14, AOT2N60, AOT3N100, AOT3N50, AOT3N60, AOT404, AOT410L, AOT412, AOT414