AOT7N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT7N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.56 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT7N65 даташит

 ..1. Size:408K  aosemi
 aot7n65.pdf pdf_icon

AOT7N65

AOT7N65/AOTF7N65 650V, 7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT7N65 & AOTF7N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:506K  aosemi
 aot7n65 aotf7n65.pdf pdf_icon

AOT7N65

AOT7N65/AOTF7N65 650V, 7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT7N65 & AOTF7N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 aot7n65.pdf pdf_icon

AOT7N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT7N65 FEATURES Drain Current I = 7.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.56 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 8.1. Size:498K  aosemi
 aot7n60.pdf pdf_icon

AOT7N65

AOT7N60/AOTF7N60 600V,7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT7N60 & AOTF7N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT4N60, AOT4S60, AOT500, AOT502, AOT5N100, AOT5N50, AOT5N60, AOT7N60, IRFZ48N, AOT7N70, AOT7S60, AOT7S65, AOT8N50, AOT8N60, AOT8N65, AOT8N80, AOT9N40