AOT8N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOT8N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOT8N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT8N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  aosemi
 aot8n65.pdf pdf_icon

AOT8N65

AOT8N65/AOTF8N65650V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT8N65 & AOTF8N65 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot8n65.pdf pdf_icon

AOT8N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT8N65FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 8.1. Size:441K  aosemi
 aot8n60.pdf pdf_icon

AOT8N65

AOT8N60/AOTF8N60600V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT8N60 & AOTF8N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:262K  inchange semiconductor
 aot8n60.pdf pdf_icon

AOT8N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT8N60FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOT5N60 , AOT7N60 , AOT7N65 , AOT7N70 , AOT7S60 , AOT7S65 , AOT8N50 , AOT8N60 , AON7403 , AOT8N80 , AOT9N40 , AOT9N50 , AOT9N70 , AOTF10N50FD , AOTF10N60 , AOTF10N65 , AOTF10N90 .

 

 
Back to Top

 


 
.