Справочник MOSFET. AOTF12N65

 

AOTF12N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AOTF12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 39.8 nC

Время нарастания (tr): 77 ns

Выходная емкость (Cd): 152 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF12N65

 

 

AOTF12N65 Datasheet (PDF)

1.1. aotf12n65.pdf Size:381K _aosemi

AOTF12N65 AOTF12N65

AOT12N65/AOTF12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150℃ The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.72Ω robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss a

2.1. aotf12n60fd.pdf Size:590K _aosemi

AOTF12N65 AOTF12N65

AOT12N60FD/AOB12N60FD/AOTF12N60FD 600V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150℃ The AOT12N60FD/AOB12N60FD/AOTF12N60FD have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.65Ω performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing

2.2. aotf12n60.pdf Size:450K _aosemi

AOTF12N65 AOTF12N65

AOT12N60/AOTF12N60 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150℃ The AOT12N60 & AOTF12N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.55Ω robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss al

Другие MOSFET... AOTF11N62 , AOTF11N70 , AOTF11S60 , AOTF11S65 , AOTF12N30 , AOTF12N50 , AOTF12N60 , AOTF12N60FD , IRF630 , AOTF12T50P , AOTF12T50PL , AOTF12T60 , AOTF12T60P , AOTF13N50 , AOTF14N50 , AOTF14N50FD , AOTF15S60 .

Back to Top