AOTF20N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF20N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF20N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF20N40 даташит

 ..1. Size:331K  aosemi
 aotf20n40.pdf pdf_icon

AOTF20N40

AOTF20N40 400V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 500@150 The AOTF20N40 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 20A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:457K  aosemi
 aotf20n40 aotf20n40l.pdf pdf_icon

AOTF20N40

AOTF20N40/AOTF20N40L 400V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 500@150 The AOTF20N40 & AOTF20N40L is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:251K  inchange semiconductor
 aotf20n40.pdf pdf_icon

AOTF20N40

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF20N40 FEATURES Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.25 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 7.1. Size:540K  aosemi
 aotf20n60.pdf pdf_icon

AOTF20N40

AOT20N60/AOTF20N60 600V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT20N60 & AOTF20N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF13N50, AOTF14N50, AOTF14N50FD, AOTF15S60, AOTF15S65, AOTF16N50, AOTF18N65, AOTF20C60, P55NF06, AOTF20N60, AOTF20S60, AOTF22N50, AOTF240L, AOTF256L, AOTF25S65, AOTF2606L, AOTF260L