AOTF20N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF20N60 даташит

 ..1. Size:540K  aosemi
 aotf20n60.pdf pdf_icon

AOTF20N60

AOT20N60/AOTF20N60 600V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT20N60 & AOTF20N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:383K  aosemi
 aot20n60 aotf20n60.pdf pdf_icon

AOTF20N60

AOT20N60/AOTF20N60 600V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT20N60 & AOTF20N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:252K  inchange semiconductor
 aotf20n60.pdf pdf_icon

AOTF20N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF20N60 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.37 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 7.1. Size:331K  aosemi
 aotf20n40.pdf pdf_icon

AOTF20N60

AOTF20N40 400V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 500@150 The AOTF20N40 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 20A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF14N50, AOTF14N50FD, AOTF15S60, AOTF15S65, AOTF16N50, AOTF18N65, AOTF20C60, AOTF20N40, 8205A, AOTF20S60, AOTF22N50, AOTF240L, AOTF256L, AOTF25S65, AOTF2606L, AOTF260L, AOTF2610L