AOTF2610L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF2610L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF2610L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF2610L даташит

 ..1. Size:348K  aosemi
 aot2610l aotf2610l.pdf pdf_icon

AOTF2610L

 ..2. Size:348K  aosemi
 aotf2610l.pdf pdf_icon

AOTF2610L

 7.1. Size:424K  aosemi
 aot2618l aob2618l aotf2618l.pdf pdf_icon

AOTF2610L

AOT2618L/AOB2618L/AOTF2618L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2618L & AOB2618L & AOTF2618L uses trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 23A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:367K  aosemi
 aotf2618l.pdf pdf_icon

AOTF2610L

AOT2618L/AOB2618L/AOTF2618L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2618L & AOB2618L & AOTF2618L uses trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 23A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF20N60, AOTF20S60, AOTF22N50, AOTF240L, AOTF256L, AOTF25S65, AOTF2606L, AOTF260L, 2N7002, AOTF2618L, AOTF262L, AOTF266L, AOTF27S60, AOTF288L, AOTF2910L, AOTF2916L, AOTF2918L