Справочник MOSFET. AOTF8N80

 

AOTF8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AOTF8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  aosemi
aotf8n80.pdfpdf_icon

AOTF8N80

AOT8N80/AOTF8N80800V, 7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900V@150The AOT8N80 & AOTF8N80 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7.4Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
aotf8n80.pdfpdf_icon

AOTF8N80

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor AOTF8N80FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:159K  aosemi
aotf8n50.pdfpdf_icon

AOTF8N80

AOT8N50/AOTF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT8N50 & AOTF8N50 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:441K  aosemi
aotf8n60.pdfpdf_icon

AOTF8N80

AOT8N60/AOTF8N60600V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT8N60 & AOTF8N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOTF7N65 , AOTF7N70 , AOTF7S65 , AOTF7T60 , AOTF7T60P , AOTF8N50 , AOTF8N60 , AOTF8N65 , K2611 , AOTF8T50P , AOTF9N50 , AOTF9N70 , AOTF9N90 , AOU1N60 , AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.