Справочник MOSFET. AOU2N60

 

AOU2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOU2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AOU2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOU2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  aosemi
aou2n60.pdfpdf_icon

AOU2N60

AOD2N60/AOU2N60600V, 2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD2N60 & AOU2N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that isVDS 700V@150designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2Arobustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
aou2n60.pdfpdf_icon

AOU2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

 0.1. Size:428K  aosemi
aou2n60a.pdfpdf_icon

AOU2N60

AOD2N60A/AOI2N60A/AOU2N60A600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Advanced High Voltage MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Ciss and Crss RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:274K  inchange semiconductor
aou2n60a.pdfpdf_icon

AOU2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU2N60AFEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOTF8N60 , AOTF8N65 , AOTF8N80 , AOTF8T50P , AOTF9N50 , AOTF9N70 , AOTF9N90 , AOU1N60 , NCEP15T14 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 , AOV15S60 .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.