Справочник MOSFET. AOU2N60A

 

AOU2N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOU2N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для AOU2N60A

 

 

AOU2N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  aosemi
aou2n60a.pdf

AOU2N60A
AOU2N60A

AOD2N60A/AOI2N60A/AOU2N60A600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Advanced High Voltage MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Ciss and Crss RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
aou2n60a.pdf

AOU2N60A
AOU2N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU2N60AFEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:327K  aosemi
aou2n60.pdf

AOU2N60A
AOU2N60A

AOD2N60/AOU2N60600V, 2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD2N60 & AOU2N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that isVDS 700V@150designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2Arobustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:273K  inchange semiconductor
aou2n60.pdf

AOU2N60A
AOU2N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top