AOW10N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOW10N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOW10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для AOW10N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  aosemi
 aow10n65.pdf pdf_icon

AOW10N65

AOW10N65/AOWF10N65650V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOW10N65/AOWF10N65 is fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed ID (at VGS=10V) 10Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:299K  inchange semiconductor
 aow10n65.pdf pdf_icon

AOW10N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW10N65FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:245K  aosemi
 aow10n60.pdf pdf_icon

AOW10N65

AOW10N60/AOWF10N60600V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOW10N60 & AOWF10N60 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 10Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:496K  aosemi
 aow10n60 aowf10n60.pdf pdf_icon

AOW10N65

AOW10N60/AOWF10N60600V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOW10N60 & AOWF10N60 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 10Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 , AOV15S60 , AOV20S60 , AOW10N60 , RU7088R , AOW10T60P , AOW11N60 , AOW11S60 , AOW11S65 , AOW12N50 , AOW12N60 , AOW12N65 , AOW14N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.