Справочник MOSFET. AOW7S60

 

AOW7S60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOW7S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для AOW7S60

 

 

AOW7S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  aosemi
 aow7s60.pdf

AOW7S60 AOW7S60

AOW7S60/AOWF7S60TM600V 7A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated usingthe advanced MOSTM high voltage process that is IDM 33Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.6robustness in switching applications. Qg,typ 8.2nCBy providing low RDS(on), Qg and EOS

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 aow7s60.pdf

AOW7S60 AOW7S60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW7S60FEATURESDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

 8.1. Size:261K  aosemi
 aow7s65.pdf

AOW7S60 AOW7S60

AOW7S65/AOWF7S65TM650V 7A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 750VThe AOW7S65 & AOWF7S65 have been fabricatedusing the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 30Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.65robustness in switching applications. Qg,typ 9.2nCBy providing low RDS(on), Qg and EO

 8.2. Size:300K  inchange semiconductor
 aow7s65.pdf

AOW7S60 AOW7S60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW7S65FEATURESDrain Current I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.65(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top