AOWF12N65 - описание и поиск аналогов

 

AOWF12N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOWF12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-262F

Аналог (замена) для AOWF12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF12N65 даташит

 ..1. Size:240K  aosemi
 aowf12n65.pdf pdf_icon

AOWF12N65

AOW12N65/AOWF12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOW12N65 & AOWF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:240K  aosemi
 aow12n65 aowf12n65.pdf pdf_icon

AOWF12N65

AOW12N65/AOWF12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOW12N65 & AOWF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:286K  aosemi
 aow12n60 aowf12n60.pdf pdf_icon

AOWF12N65

AOW12N60/AOWF12N60 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOW12N60 & AOWF12N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:262K  aosemi
 aowf12n60.pdf pdf_icon

AOWF12N65

AOW12N60/AOWF12N60 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOW12N60 & AOWF12N60 have been fabricated 700V@150 12A using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) designed to deliver high levels of performance and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOWF10T60P , AOWF11C60 , AOWF11N60 , AOWF11N70 , AOWF11S60 , AOWF11S65 , AOWF12N50 , AOWF12N60 , IRF9540 , AOWF12T60P , AOWF14N50 , AOWF15S60 , AOWF15S65 , AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 .

History: 4N65G-TF2-T | AP92T12GP | ME95N03T | SWB060R65E7T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.