Справочник MOSFET. APT1001RBVFR

 

APT1001RBVFR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT1001RBVFR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для APT1001RBVFR

 

 

APT1001RBVFR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  apt
 apt1001rbvfr.pdf

APT1001RBVFR APT1001RBVFR

APT1001RBVFRAPT1001RSVFR1000V 11A 1.00BVFR POWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS VSVFRalso achieves faster switching speeds through optimized gate layou

 4.1. Size:68K  apt
 apt1001rbvr.pdf

APT1001RBVFR APT1001RBVFR

APT1001RBVR1000V 11A 1.000POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lowe

 5.1. Size:34K  apt
 apt1001rblc.pdf

APT1001RBVFR APT1001RBVFR

APT1001RBLCAPT1001RSLC1000V 11A 1.000WBLCTMPOWER MOS VID3PAKPower MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltageTO-247N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge isachieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss.Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout,SLCdelivers exceptionally fast sw

 5.2. Size:51K  apt
 apt1001rbn.pdf

APT1001RBVFR APT1001RBVFR

DTO-247GAPT1001RBN 1000V 11.0A 1.00SAPT5030BN 500V 21.0A 0.30POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APTSymbol Parameter 1001RBN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C11AmpsIDM Pulsed Drain Current 144VGS Gate-Source Vo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top