Справочник MOSFET. BUZ50C

 

BUZ50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUZ50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для BUZ50C

 

 

BUZ50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  siemens
 buz50c.pdf

BUZ50C BUZ50C

BUZ 50 CSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.3Pulsed drain current IDp

 9.1. Size:199K  siemens
 buz50b.pdf

BUZ50C BUZ50C

BUZ 50 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 B 1000 V 2 A 8 TO-220 AB C67078-A1307-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2Pulsed drain current IDpuls

 9.2. Size:207K  siemens
 buz50a.pdf

BUZ50C BUZ50C

BUZ 50 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.5Pulsed drain current IDp

 9.3. Size:17K  semelab
 buz50a-220m buz50b-220m.pdf

BUZ50C BUZ50C

BUZ50A220MBUZ50B220MMECHANICAL DATADimensions in mmMOS POWER N-CHANNELENHANCEMENT MODE10.6 (0.42)4.6 (0.18)TRANSISTORS0.8(0.03)3.70 Dia. NomFEATURES HERMETIC TO220 ISOLATED METALPACKAGE1 2 3 CECC SCREENING OPTIONS JAN LEVEL SCREENING OPTIONSAPPLICATIONS:Hermetically sealed version for high relia-1.0 bility power linear and switching appli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top