APT1201R6BVFR - аналоги и даташиты транзистора

 

APT1201R6BVFR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APT1201R6BVFR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для APT1201R6BVFR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1201R6BVFR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  apt
 apt1201r6bvfr.pdf pdf_icon

APT1201R6BVFR

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 0.1. Size:114K  apt
 apt1201r6bvfrg apt1201r6svfrg.pdf pdf_icon

APT1201R6BVFR

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 3.1. Size:62K  apt
 apt1201r6bvr.pdf pdf_icon

APT1201R6BVFR

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 5.1. Size:62K  apt
 apt1201r6.pdf pdf_icon

APT1201R6BVFR

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT11N80BC3 , APT11N80KC3 , APT1201R2BLL , APT1201R2SLL , APT1201R4BLL , APT1201R4SLL , APT1201R5BVFR , APT1201R5SVFR , AON6414A , APT12031JLL , APT12040JLL , APT12040JVFR , APT12040L2LL , APT12045L2VFR , APT12045L2VR , APT12057B2LL , APT12057JLL .

History: SQJ260EP | 2SK3644-01 | FQPF6N15 | NVR4501N | SWU8N60D | TK14G65W | AP9579GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.