APT50M80B2VR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT50M80B2VR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TMAX

Аналог (замена) для APT50M80B2VR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT50M80B2VR даташит

 ..1. Size:36K  apt
 apt50m80b2vr.pdf pdf_icon

APT50M80B2VR

APT50M80B2VR APT50M80LVR 500V 58A 0.080W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specificatio

 0.1. Size:92K  apt
 apt50m80b2vrg apt50m80lvrg.pdf pdf_icon

APT50M80B2VR

APT50M80B2VR APT50M80LVR 500V 58A 0.080 POWER MOS V TM T-Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Identical

 3.1. Size:33K  apt
 apt50m80b2vfr.pdf pdf_icon

APT50M80B2VR

APT50M80B2VFR 500V 58A 0.080W POWER MOS V FREDFET T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche T

 3.2. Size:94K  apt
 apt50m80b2vfrg apt50m80lvfrg.pdf pdf_icon

APT50M80B2VR

APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080 POWER MOS V FREDFET TM T-Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50M65JLL, APT50M75B2FLL, APT50M75B2LL, APT50M75JFLL, APT50M75JLL, APT50M75JLLU2, APT50M80B2LC, APT50M80B2VFR, IRFZ44N, APT50M80JLC, APT50M85B2VFR, APT50M85B2VR, APT5560AN, APT6010B2LL, APT6010JFLL, APT6010JLL, APT6011B2VFR