APT6025BVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT6025BVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT6025BVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6025BVFR даташит

 ..1. Size:72K  apt
 apt6025bvfr.pdf pdf_icon

APT6025BVFR

APT6025BVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 ..2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt6025bvfr.pdf pdf_icon

APT6025BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT6025BVFR FEATURES Drain Current I =25A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.25 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 0.1. Size:116K  apt
 apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf pdf_icon

APT6025BVFR

APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re

 5.1. Size:49K  apt
 apt6025bvrg.pdf pdf_icon

APT6025BVFR

APT6025BVR 600V 25A 0.250 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT6017B2FLL, APT6017B2LL, APT6017JFLL, APT6017JLL, APT6021BFLL, APT6021BLL, APT6025BFLL, APT6025BLL, 7N65, APT6025SVFR, APT6025SVR, APT6029BFLL, APT6029BLL, APT6030BVFR, APT6030SVFR, APT6030SVR, APT6035BVFR