APT6025BVFR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT6025BVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для APT6025BVFR
APT6025BVFR Datasheet (PDF)
apt6025bvfr.pdf

APT6025BVFR600V 25A 0.250POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test
apt6025bvfr.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor APT6025BVFRFEATURESDrain Current I =25A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.25(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf

APT6025BVFRAPT6025SVFR600V 25A 0.250POWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re
apt6025bvrg.pdf

APT6025BVR600V 25A 0.250POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L
Другие MOSFET... APT6017B2FLL , APT6017B2LL , APT6017JFLL , APT6017JLL , APT6021BFLL , APT6021BLL , APT6025BFLL , APT6025BLL , STP75NF75 , APT6025SVFR , APT6025SVR , APT6029BFLL , APT6029BLL , APT6030BVFR , APT6030SVFR , APT6030SVR , APT6035BVFR .
History: 2SK1775 | SE7401U | VBI2658 | 2SK2634
History: 2SK1775 | SE7401U | VBI2658 | 2SK2634



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor