Справочник MOSFET. APT94N60L2C3

 

APT94N60L2C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT94N60L2C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 833 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 4400 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для APT94N60L2C3

 

 

APT94N60L2C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  apt
apt94n60l2c3.pdf

APT94N60L2C3
APT94N60L2C3

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNITVDSS Drain-Source Voltage60

 0.1. Size:250K  microsemi
apt94n60l2c3g.pdf

APT94N60L2C3
APT94N60L2C3

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. It

 7.1. Size:159K  microsemi
apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf

APT94N60L2C3
APT94N60L2C3

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035APT94N65B2C6Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. I

 7.2. Size:145K  microsemi
apt94n65b2c3g.pdf

APT94N60L2C3
APT94N60L2C3

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel)G Popular T-MAX PackageSUnless stated otherwise, Microsemi di

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FCH099N60E

 

 
Back to Top