APT94N60L2C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT94N60L2C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 833 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 4400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для APT94N60L2C3
APT94N60L2C3 Datasheet (PDF)
apt94n60l2c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNITVDSS Drain-Source Voltage60
apt94n60l2c3g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. It
apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035APT94N65B2C6Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. I
apt94n65b2c3g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel)G Popular T-MAX PackageSUnless stated otherwise, Microsemi di
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FCH099N60E