APT94N60L2C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT94N60L2C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для APT94N60L2C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT94N60L2C3 даташит

 ..1. Size:168K  apt
 apt94n60l2c3.pdf pdf_icon

APT94N60L2C3

APT94N60L2C3 600V 94A 0.035 Super Junction MOSFET TO-264 Max COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg G Avalanche Energy Rated TO-264 Max Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 60

 0.1. Size:250K  microsemi
 apt94n60l2c3g.pdf pdf_icon

APT94N60L2C3

APT94N60L2C3 600V 94A 0.035 Super Junction MOSFET TO-264 Max COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg D Avalanche Energy Rated TO-264 Max Package G Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with S two parallel MOSFET die. It

 7.1. Size:159K  microsemi
 apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf pdf_icon

APT94N60L2C3

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035 APT94N65B2C6 Super Junction MOSFET T-Max TO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt Rated D G Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with S two parallel MOSFET die. I

 7.2. Size:145K  microsemi
 apt94n65b2c3g.pdf pdf_icon

APT94N60L2C3

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOS Power Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel) G Popular T-MAX Package S Unless stated otherwise, Microsemi di

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8024B2VR, APT8024JFLL, APT8024JLL, APT8043BFLL, APT8043BLL, APT8052BFLL, APT8052BLL, APT8075BVFR, IRF2807, 2SK2642-01MR, 2SK3502-01MR, 2SK3673-01MR, 2SK3677-01MR, 2SK3679-01MR, 2SK2058, 2SK2728, 2SK3024