APT94N60L2C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT94N60L2C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для APT94N60L2C3
APT94N60L2C3 Datasheet (PDF)
apt94n60l2c3.pdf

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNITVDSS Drain-Source Voltage60
apt94n60l2c3g.pdf

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. It
apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035APT94N65B2C6Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. I
apt94n65b2c3g.pdf

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel)G Popular T-MAX PackageSUnless stated otherwise, Microsemi di
Другие MOSFET... APT8024B2VR , APT8024JFLL , APT8024JLL , APT8043BFLL , APT8043BLL , APT8052BFLL , APT8052BLL , APT8075BVFR , IRFB31N20D , 2SK2642-01MR , 2SK3502-01MR , 2SK3673-01MR , 2SK3677-01MR , 2SK3679-01MR , 2SK2058 , 2SK2728 , 2SK3024 .
History: JCS6N90CH | 2SK2703 | PHB225NQ04T | HM7N80 | STD180N4F6 | AONS20485 | CSFR7N60U
History: JCS6N90CH | 2SK2703 | PHB225NQ04T | HM7N80 | STD180N4F6 | AONS20485 | CSFR7N60U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609