2SK2642-01MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2642-01MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220F15

Аналог (замена) для 2SK2642-01MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2642-01MR даташит

 ..1. Size:90K  fuji
2sk2642-01mr.pdfpdf_icon

2SK2642-01MR

2SK2642-01MR FUJI POWER MOS-FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET TO-220F15 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 35V Guarantee Avalanche-proof 2.54 Applications 3. Source Switching regulators UPS DC-DC converters Equivalent circuit schematic General purpose power amplifier Drain(D) Maximum ratings and char

 8.1. Size:32K  fuji
2sk2646-01.pdfpdf_icon

2SK2642-01MR

FUJI POWER MOSFET 2SK2646-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series TO-220AB Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (

 8.2. Size:71K  fuji
2sk2643-01.pdfpdf_icon

2SK2642-01MR

FUJI POWER MOSFET 2SK2643-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series TO-3P Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=

 8.3. Size:296K  fuji
2sk2640-01mr.pdfpdf_icon

2SK2642-01MR

N-channel MOS-FET 2SK2640-01MR FAP-IIS Series 500V 0,9 10A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteri

Другие IGBT... APT8024JFLL, APT8024JLL, APT8043BFLL, APT8043BLL, APT8052BFLL, APT8052BLL, APT8075BVFR, APT94N60L2C3, STF13NM60N, 2SK3502-01MR, 2SK3673-01MR, 2SK3677-01MR, 2SK3679-01MR, 2SK2058, 2SK2728, 2SK3024, 2SK3615