2SK2728. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2728

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK2728

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2728 даташит

 ..1. Size:52K  hitachi
2sk2728.pdfpdf_icon

2SK2728

2SK2728 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-454 B 3rd. Edition Features Low on-resistance High speed switching Low drive current Avalanche ratings Outline TO 3P D G 1. Gate 2. Drain 1 2 (Flange) 3 3. Source S 2SK2728 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDSS 500 V Gate to sour

 8.1. Size:83K  1
2sk2723.pdfpdf_icon

2SK2728

DATA SHEET MOS Field Effect Power Transistors 2SK2723 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE PACKAGE DIMENSIONS (in millimeter) DESCRIPTION 4.5 0.2 This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor 10.0 0.3 3.2 0.2 designed for high current switching spplications. 2.7 0.2 FEATURES Low On-Resistance RDS (on) 1 = 40m Max. (VGS = 10 V, ID = 13 A) R

 8.2. Size:83K  1
2sk2724.pdfpdf_icon

2SK2728

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS 2SK2724 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS (in millimeter) This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor 4.5 0.2 designed for high current switching applications. 10.0 0.3 3.2 0.2 2.7 0.2 FEATURES Low On-Resistance RDS(on)1 = 27 m Max. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)

 8.3. Size:209K  renesas
2sk2726.pdfpdf_icon

2SK2728

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... APT8075BVFR, APT94N60L2C3, 2SK2642-01MR, 2SK3502-01MR, 2SK3673-01MR, 2SK3677-01MR, 2SK3679-01MR, 2SK2058, AO3400A, 2SK3024, 2SK3615, 2SK3782, 2SK3783, 2SK3900, 2SK2078, STU6025NL, STU601S