Справочник MOSFET. 2SK3783

 

2SK3783 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3783
   Маркировка: BE_BF_BH_BJ
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.37 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: 4PXSLP04
 

 Аналог (замена) для 2SK3783

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3783 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  nec
 2sk3783.pdf pdf_icon

2SK3783

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3783N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit: mm) The 2SK3783 is suitable for converter of ECM. 1.0FEATURES High gain -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Low noise -109 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Super small

 8.1. Size:110K  nec
 2sk3782.pdf pdf_icon

2SK3783

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3782N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit: mm) The 2SK3782 is suitable for converter of ECM. 1.2 0.1 +0.10.3 0.05 MAX. 0.33FEATURES High gain 30 to 0.02 -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Low noise 2 1 -109 dB (V

 8.2. Size:102K  fuji
 2sk3781-01r.pdf pdf_icon

2SK3783

2SK3781-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless o

 8.3. Size:98K  fuji
 2sk3788-01.pdf pdf_icon

2SK3783

2SK3788-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3673-01MR , 2SK3677-01MR , 2SK3679-01MR , 2SK2058 , 2SK2728 , 2SK3024 , 2SK3615 , 2SK3782 , MMIS60R580P , 2SK3900 , 2SK2078 , STU6025NL , STU601S , STU600S , STU5025NL2 , STU466S , STU45N01 .

History: IXFQ20N50P3 | STP6N80K5 | MDP13N50TH | AONR36328 | AONR62818 | ZXMN6A25G | TK31A60W

 

 
Back to Top

 


 
.