STT3418 - описание и поиск аналогов

 

STT3418. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT3418

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STT3418

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT3418 даташит

 ..1. Size:132K  samhop
stt3418.pdfpdf_icon

STT3418

Green Product STT3418 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 39 @ VGS=10V 30V 5A Surface Mount Package. 63 @ VGS=4.5V D D G G D S STT SERIES S SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C

 8.1. Size:118K  samhop
stt3414.pdfpdf_icon

STT3418

Gre r r P Pr Pr Pro STT3414 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 33 @ VGS=10V Surface Mount Package. 30V 7A 42 @ VGS=4.5V 57 @ VGS=2.5V D D D G G G D D S S STT SERIES S SOT-223 (

 9.1. Size:184K  secos
stt3434n.pdfpdf_icon

STT3418

STT3434N 6 A, 30 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize A a high cell density trench process to provide Low RDS(on) E L and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 6 5 4 Typical

 9.2. Size:631K  secos
stt3490n.pdfpdf_icon

STT3418

STT3490N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.2 A, 150 V, RDS(ON) 700 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free KEY FEATURES TSOP-6 Low RDS(on) trench technology. A E Low thermal impedance. L Fast switching speed. 6 5 4 TYPICAL APPLICATIONS B White LED boost converters. Automotive S

Другие MOSFET... STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , IRFB4115 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.