Справочник MOSFET. STS8216

 

STS8216 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS8216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 54 ns
   Выходная емкость (Cd): 164 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для STS8216

 

 

STS8216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf

STS8216 STS8216

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 8.1. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf

STS8216 STS8216

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 8.2. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf

STS8216 STS8216

GrerrPPrPrProSTS8215aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.24.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.25.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V30.5 @ VGS=3.1V36.5 @ VGS=2.5VD1 D

 8.3. Size:111K  samhop
 sts8213.pdf

STS8216 STS8216

GreenProductSTS8213aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.0 @ VGS=4.0V Suface Mount Package.16.5 @ VGS=3.7V 20V 7AESD Protected.18.0 @ VGS=3.1V 22.0 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top ViewS1

 8.4. Size:105K  samhop
 sts8212.pdf

STS8216 STS8216

GrerrPPrPrProSTS8212aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V18 @ VGS=3.1V22 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top