Справочник MOSFET. STS3420

 

STS3420 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3420
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  samhop
sts3420.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3420aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.33 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.5A 40 @ VGS= 4.5V 53 @ VGS= 2.5V DSOT23DGSGS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless o

 8.1. Size:103K  samhop
sts3429.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3429aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.85 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.2A105 @ VGS=-4.5VDSOT-23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.2. Size:121K  samhop
sts3426.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3426aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.31 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.2A 40 @ VGS= 4.5V52 @ VGS= 2.5V SOT 26 DTop ViewD 1 6 DGD 2 5 DG 3 4 SSABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:168K  samhop
sts3414.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STRH12P10 | STS65R190L8AS2TR | HY1707PM | STS65R190FS2 | STS13N3LLH5

 

 
Back to Top

 


 
.