Справочник MOSFET. STS3420

 

STS3420 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3420
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS3420

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  samhop
sts3420.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3420aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.33 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.5A 40 @ VGS= 4.5V 53 @ VGS= 2.5V DSOT23DGSGS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless o

 8.1. Size:103K  samhop
sts3429.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3429aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.85 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.2A105 @ VGS=-4.5VDSOT-23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.2. Size:121K  samhop
sts3426.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3426aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.31 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.2A 40 @ VGS= 4.5V52 @ VGS= 2.5V SOT 26 DTop ViewD 1 6 DGD 2 5 DG 3 4 SSABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:168K  samhop
sts3414.pdfpdf_icon

STS3420

GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

Другие MOSFET... STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , 8205A , STS3419 , STS3417 , STS3415 , STS3414 , STM8501 , STM8500A , STM8458 , STM8457 .

History: FCB070N65S3 | 2SK3019TT1 | RJK0317DSP | AFP9434WS | MTP2N40 | ZXMP6A13G | MS40N06

 

 
Back to Top

 


 
.