HUF75337G3 - описание и поиск аналогов

 

HUF75337G3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF75337G3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HUF75337G3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75337G3 даташит

 ..1. Size:226K  fairchild semi
huf75337g3 huf75337p3 huf75337s3s.pdfpdf_icon

HUF75337G3

HUF75337G3, HUF75337P3, HUF75337S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.1. Size:122K  harris semi
huf75337s3.pdfpdf_icon

HUF75337G3

HUF75337G3, HUF75337P3, S E M I C O N D U C T O R HUF75337S3, HUF75337S3S 62A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs January 1998 Features Description 62A, 55V These N-Channel power MOS- FETs are manufactured using Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.014 the innovative UltraFET pro- cess. This advanced process technology achieves the low- Diode Exhibits

 7.1. Size:331K  fairchild semi
huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdfpdf_icon

HUF75337G3

HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S, HUF75333S3 Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda

 7.2. Size:305K  fairchild semi
huf75332s3st.pdfpdf_icon

HUF75337G3

HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S Data Sheet January 2005 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 60A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models a

Другие MOSFET... HUF75332G3 , HUF75332P3 , HUF75332S3S , HUF75333G3 , HUF75333P3 , HUF75333S3 , HUF75333S3S , HUF75333S3ST , 5N60 , HUF75337P3 , HUF75337S3S , HUF75339G3 , HUF75339P3 , HUF75339S3 , HUF75339S3S , HUF75339S3ST , HUF75343G3 .

History: HUF75337S3S

 

 

 


 
↑ Back to Top
.