Справочник MOSFET. STS3414

 

STS3414 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3414
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3414 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  samhop
 sts3414.pdf pdf_icon

STS3414

GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

 8.1. Size:88K  samhop
 sts3417.pdf pdf_icon

STS3414

GrPPrPPSTS3417aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.96 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.100 @ VGS=-4.0V-30V -3A 103 @ VGS=-3.7VESD Protected.111 @ VGS=-3.1V123 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDS

 8.2. Size:109K  samhop
 sts3419.pdf pdf_icon

STS3414

GreenProductSTS3419aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.65 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.8A90 @ VGS=-4.5V Halogen free.DSOT-23DGSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 8.3. Size:94K  samhop
 sts3415.pdf pdf_icon

STS3414

GrPPrPPSTS3415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.46 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.47 @ VGS=-4.0VESD Protected.49 @ VGS=-3.7V-20V -4.2A54 @ VGS=-3.1V61 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDSG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY3708B | HY1607MF | STQ1NK80ZR-AP | STT03L03 | STS4DNFS30L | HY3215W | STS7P4LLF6

 

 
Back to Top

 


 
.