STS3414 - описание и поиск аналогов

 

STS3414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS3414

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для STS3414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3414 даташит

 ..1. Size:168K  samhop
sts3414.pdfpdf_icon

STS3414

Green Product STS3414 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 50 @ VGS=10V 30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package. 75 @ VGS=2.5V D S OT-23 G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol

 8.1. Size:88K  samhop
sts3417.pdfpdf_icon

STS3414

Gr P Pr P P STS3417 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 96 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 100 @ VGS=-4.0V -30V -3A 103 @ VGS=-3.7V ESD Protected. 111 @ VGS=-3.1V 123 @ VGS=-2.5V D SOT-23 G D S

 8.2. Size:109K  samhop
sts3419.pdfpdf_icon

STS3414

Green Product STS3419 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.2 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 65 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -3.8A 90 @ VGS=-4.5V Halogen free. D SOT-23 D G S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless oth

 8.3. Size:94K  samhop
sts3415.pdfpdf_icon

STS3414

Gr P Pr P P STS3415 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 46 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 47 @ VGS=-4.0V ESD Protected. 49 @ VGS=-3.7V -20V -4.2A 54 @ VGS=-3.1V 61 @ VGS=-2.5V D SOT-23 G D S G

Другие MOSFET... STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 , K4145 , STM8501 , STM8500A , STM8458 , STM8457 , STM8456 , STM6968 , STM6967 , STM6966 .

History: E10P02 | SI4447DY | APQ02SN65AH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.