FCPF36N60N - описание и поиск аналогов

 

FCPF36N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCPF36N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FCPF36N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF36N60N даташит

 ..1. Size:845K  fairchild semi
fcpf36n60n.pdfpdf_icon

FCPF36N60N

 0.1. Size:953K  onsemi
fcp36n60n fcpf36n60nt.pdfpdf_icon

FCPF36N60N

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:497K  onsemi
fcpf360n65s3r0l.pdfpdf_icon

FCPF36N60N

FCPF360N65S3R0L Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize VDSS RDS(

 9.1. Size:624K  fairchild semi
fcp380n60e fcpf380n60e.pdfpdf_icon

FCPF36N60N

November 2013 FCP380N60E / FCPF380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 320 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charg

Другие MOSFET... FDP030N06BF102 , FDI9406F085 , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L , FDP023N08B , AON7408 , FDD770N15A , FDMS8820 , FDMS8320LDC , HUF76639SF085 , FDB38N30U , FDB070AN06F085 , FDD1600N10ALZ , FCD380N60E .

History: IRLS4030-7P | IRLR8721

 

 

 

 

↑ Back to Top
.