FCP190N60GF102 - описание и поиск аналогов

 

FCP190N60GF102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCP190N60GF102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP190N60GF102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP190N60GF102 даташит

 5.1. Size:641K  fairchild semi
fcp190n60e fcpf190n60e.pdfpdf_icon

FCP190N60GF102

December 2013 FCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 160 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charg

 5.2. Size:650K  fairchild semi
fcp190n60 fcpf190n60.pdfpdf_icon

FCP190N60GF102

December 2013 FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 170 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 5

 5.3. Size:657K  fairchild semi
fcp190n60 gf102.pdfpdf_icon

FCP190N60GF102

December 2013 FCP190N60_GF102 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 170 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC)

 5.4. Size:803K  onsemi
fcp190n60e fcpf190n60e.pdfpdf_icon

FCP190N60GF102

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , FCD620N60ZF , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , 18N50 , FDB42AN15F085 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F , FCH47N60FF085 , FDMC8032L , NDS351N , FDMA8051L .

History: FDPF7N50U | 12N25

 

 

 


 
↑ Back to Top
.