HUF76105DK8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HUF76105DK8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: MS012AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HUF76105DK8 Datasheet (PDF)
huf76105dk8.pdf

HUF76105DK8TMData Sheet June 2000 File Number 4380.65A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis N-Channel power MOSFET is 5A, 30Vmanufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.050UltraFET process. This advancedprocess technology achieves the Temperature Compensating
huf76105sk8.pdf

HUF76105SK8Data Sheet May 1999 File Number 4719.15.5A, 30V, 0.050 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis N-Channel power MOSFET is 5.5A, 30Vmanufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.050UltraFET process. This advancedprocess technology achieves the Simulation Modelslowest possible
huf76107p3.pdf

HUF76107P3Data Sheet October 1999 File Number 4382.520A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese N-Channel power 20A, 30VMOSFETs are manufactured using Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.052the innovative UltraFET process.This advanced process technology Temperature Compensating PSPICE Modela
huf76107d3-s.pdf

HUF76107D3, HUF76107D3SData Sheet July 1999 File Number 4701.120A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese N-Channel power 20A, 30VMOSFETs are manufactured using Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.052the innovative UltraFET process.This advanced process technology Temperature Compensating PSPICE
Другие MOSFET... HUF75637P3 , HUF75637S3S , HUF75639G3 , HUF75639P3 , HUF75639S3S , HUF75645P3 , HUF75645S3S , HUF75652G3 , CEP83A3 , HUF76105SK8 , HUF76107D3 , HUF76107D3S , HUF76107P3 , HUF76113DK8 , HUF76113SK8 , HUF76113T3ST , HUF76121D3 .
History: HUF76129D3S
History: HUF76129D3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457