FCD850N80Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCD850N80Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 28 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FCD850N80Z
FCD850N80Z Datasheet (PDF)
fcd850n80z fcu850n80z.pdf
October 2014FCD850N80Z / FCU850N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 6 A, 850 mFeatures Description Typ. RDS(on) = 710 mTyp.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 22 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance
fcd850n80z fcu850n80z.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fcd850n80z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FCD850N80ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)850mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyLED lightingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 800 VDSS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HFD2N90
