Справочник MOSFET. ULB4132

 

ULB4132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ULB4132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00305 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ULB4132

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ULB4132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  utc
 ulb4132.pdf pdf_icon

ULB4132

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD ULB4132 Preliminary Power MOSFET 100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The ULB4132 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.05m @ VGS=10V, ID=50A * RDS(ON)= 4.2m

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STV4NA60

 

 
Back to Top

 


 
.