ULB4132 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ULB4132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00305 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для ULB4132
ULB4132 Datasheet (PDF)
ulb4132.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD ULB4132 Preliminary Power MOSFET 100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The ULB4132 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.05m @ VGS=10V, ID=50A * RDS(ON)= 4.2m
Другие MOSFET... J204 , SST201 , SST202 , SST203 , SST204 , JCS12N60CT , JCS12N60FT , SI2301DS , AON7403 , IRLB4132PBF , 2SK240 , 2SJ75 , 2SK146 , 2SJ73 , 2SK266 , 2SK455 , 2SK456 .
History: PHP87N03LT | JCS12N60FT
History: PHP87N03LT | JCS12N60FT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549