Справочник MOSFET. ULB4132

 

ULB4132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ULB4132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00305 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ULB4132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  utc
 ulb4132.pdf pdf_icon

ULB4132

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD ULB4132 Preliminary Power MOSFET 100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The ULB4132 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.05m @ VGS=10V, ID=50A * RDS(ON)= 4.2m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NTB5404N | TTP118N08A | QS8K13 | MTE130N20FP | TK3A60DA | HGD750N15M

 

 
Back to Top

 


 
.