Справочник MOSFET. 2SK2564

 

2SK2564 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2564
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: FTO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2564 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  shindengen
2sk2564.pdfpdf_icon

2SK2564

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2564Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F8F60VX2)600V 8AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching p

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
2sk2564.pdfpdf_icon

2SK2564

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2564DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high efficiency switch mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PAR

 8.1. Size:59K  renesas
2sk2568.pdfpdf_icon

2SK2564

2SK2568 Silicon N Channel MOS FET REJ03G1017-0300 (Previous: ADE-208-1363) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P)D1. GateG2. Drain(Flang

 8.2. Size:104K  renesas
2sk2569.pdfpdf_icon

2SK2564

2SK2569 Silicon N Channel MOS FET REJ03G1018-0300 Rev.3.00 Dec 27, 2006 Application High speed power switching Features Low on-resistance. RDS(on) = 2.6 max. (at VGS = 4 V, ID = 100 mA) 2.5 V gate drive device. Small package (MPAK). Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)D31G 1. Source22. Gate3. DrainSNote:

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2882 | HGN022NE4SL | SSF2341E | MPTP50N60N

 

 
Back to Top

 


 
.