2SK2368 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK2368
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для 2SK2368
2SK2368 Datasheet (PDF)
2sk2367 2sk2368.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2367/2SK2368SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5FEATURES4 Low On-Resistance2SK2367: RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)
2sk2369 2sk2370.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2369/2SK2370SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis-(in millimeters)tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2FEATURES4.7 MAX.15.7 MAX1.5 Low On-Resistance2SK2369: RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1
2sk2359 2sk2360.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2359/2SK2360SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications. 10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance42SK2359: RDS(o
2sk2361 2sk2362.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2361/2SK2362SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.FEATURES 4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5 Low On-Resistance42SK2361: RDS (on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
Другие MOSFET... 2SK455 , 2SK456 , 2SK147 , IFN146 , 2SK2564 , 2SK1537 , 2SK2879-01 , 2SK2367 , 50N06 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LND250 , FS5UM-5 , FS5VS-5 , FS5KM-5 , FS7UM-5 .
History: FSF254R | FQD7N20L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet