FS10KM-9. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FS10KM-9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
Тип корпуса: TO220FN
Аналог (замена) для FS10KM-9
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FS10KM-9 даташит
fs10km-2.pdf
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS10KM-2 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS10KM-2 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10 0.3 2.8 0.2 f 3.2 0.2 1.1 0.2 1.1 0.2 E 0.75 0.15 0.75 0.15 2.54 0.25 2.54 0.25 123 w 10V DRIVE VDSS ................................................................................100V q GATE w DRAIN q rDS (ON) (MAX) .....................
fs10km-12.pdf
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS10KM-12 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS10KM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10 0.3 2.8 0.2 3.2 0.2 1.1 0.2 1.1 0.2 0.75 0.15 0.75 0.15 2.54 0.25 2.54 0.25 123 w q GATE w DRAIN q VDSS ................................................................................ 600V e SOURCE rDS (ON) (MAX) ......................
Другие MOSFET... FS3UM-9 , FS3VS-9 , FS3KM-9 , FS5UM-9 , FS5VS-9 , FS5KM-9 , FS10UM-9 , FS10VS-9 , BS170 , FS10SM-9 , 2SK3599-01MR , 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 2N5640 , FTP08N50 .
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent



